Siliziumkarbid ist ein anorganisches Verbindungshalbleitermaterial, das aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) im Verhältnis 1:1 besteht und eine einzigartige tetraedrische Si-C-Struktur bildet. Diese Struktur verleiht Siliziumkarbid hervorragende physikalische und chemische Eigenschaften, einschließlich hoher Härte (übertroffen nach Diamant), großer Bandlücke (bis zu 3,26 eV), hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Betriebstemperatur, hoher Korrosionsbeständigkeit usw.
