SiC wird aufgrund seiner hervorragenden Leistung in vielen Bereichen häufig verwendet, insbesondere in leistungselektronischen Geräten und Mikrowellen-Hochfrequenzgeräten. Aufgrund seiner hohen Spannungsfestigkeit, hohen Temperaturbeständigkeit, hohen Frequenz und geringen Verluste gilt Siliziumkarbid als führend unter den „Halbleitermaterialien der dritten Generation“ und wird häufig bei der Herstellung von Hochleistungsgeräten verwendet.
